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E080N8P7DH1
N沟道，80V MOSFET
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- 描述
- 1个N沟道，80V，80A，8.7mΩ@10V
- 品牌名称
- Existar(毅芯达)
- 商品型号
- E080N8P7DH1
- 商品编号
- C46470327
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.653nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 171pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 197pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- N 沟道 MOSFET
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