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AO4882
2个N沟道 耐压:40V
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。这是一种通用器件，适用于广泛的功率转换应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4882
- 商品编号
- C477943
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.088克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V；3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
AO4882采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(on)。这是一款通用型器件，适用于各种电源转换应用。