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G300P06K
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-60V@@连续漏极电流(Id)：-25A@@阈值电压(Vgs(th))：-3.0V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：25mΩ@10V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G300P06K
- 商品编号
- C46061977
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.527nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 147pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 172pF |
商品概述
G300P06K采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS -60V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10 V时) -25A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10 V时)< 32 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器