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GT013N04D5CH
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：270A@@阈值电压(Vgs(th))：3.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：0.82mΩ@10V @@封装：DFN-8L(5x6)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT013N04D5CH
- 商品编号
- C46061980
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.157克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.7nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GT013N04D5CH采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):40V
- 漏极电流 ID(VGS = 10 V 时):270A
- 导通电阻 RDS(ON)(VGS = 10V 时):1mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器