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GT2K0P20M
P沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-200V@@连续漏极电流(Id)：-19A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：166mΩ@10V 179mΩ@4.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT2K0P20M
- 商品编号
- C46061984
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 138W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
GT2K0P20M采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -200V
- ID(VGS = -10 V 时) -19A
- RDS(ON)(VGS = -10 V 时) < 200mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5 V 时) < 220mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器