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GT070N15TL
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：150V@@连续漏极电流(Id)：200A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：4.2mΩ@10V @@封装：TOLL-8L
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT070N15TL
- 商品编号
- C46061982
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 430W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.865nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 625pF |
商品概述
GT070N15TL采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:150V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = 10V时):200A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):5mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器
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