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8205HA/W
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 8205HA/W+ DW01-A/J 组成典型锂电保护电路
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 8205HA/W
- 商品编号
- C45662359
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 375pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品概述
CMSC044N03采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC/DC转换器和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 笔记本电脑电池管理
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