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IPD50N06S214ATMA2-VB
60V，TO252封装，单N沟道沟槽MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD50N06S214ATMA2-VB
- 商品编号
- C45662341
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
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