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IPP80CN10NG-VB
N沟道，100V（D-S）MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPP80CN10NG-VB
- 商品编号
- C45662410
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 类型 | N沟道 |
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