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IPW60R099CP-VB

1个N沟道;电压:600V电流:32A;导通电阻:85(mΩ)

描述
台积电流片,长电科技封装;TO247;N—Channel沟道,600V;32A;RDS(ON)=85(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2.5~4.5V;采用SJ_Multi-EPI技术
商品型号
IPW60R099CP-VB
商品编号
C45662420
商品封装
TO-247AC​
包装方式
管装
商品毛重
6.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)415W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)273nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 低优值系数 R_on × Q_g
  • 低输入电容 C_iss
  • 降低的开关和导通损耗
  • 超低栅极电荷 Q_g
  • 雪崩能量额定值

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源
  • 功率因数校正电源
  • 照明
  • 工业

数据手册PDF