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IPW65R099C6FKSA1-VB
1个N沟道；电压：650V；电流：47A；导通电阻：60(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=60(mΩ)；VGS=±30V；Vth=2~4V；采用SJ_Multi-EPI技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPW65R099C6FKSA1-VB
- 商品编号
- C45662439
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
650V 单N沟道 TO247 封装 SJ_Multi-EPI MOSFET。
商品特性
- 低优值系数 (FOM) R(on) × Qg
- 低输入电容 C(iss)
- 降低的开关和导通损耗
- 超低栅极电荷 Qg
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源
- 功率因数校正电源
- 照明
- 高强度放电灯
- 荧光灯镇流器
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