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IPW50R250CP-VB
N沟道，500V（D-S）超结功率MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道,500V；50A；RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=3.8V；采用SJ_Multi-EPI技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPW50R250CP-VB
- 商品编号
- C45662411
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 17.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 530W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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