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HUFA75637P3-VB
N沟道 耐压:100V 电流:55A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1.8V；采用Trench技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HUFA75637P3-VB
- 商品编号
- C45662330
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
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