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MDD100N03D
30V 100A 2.8mΩ中低压功率N-MOS管
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- 描述
- 30V 100A 2.8mΩ中低压功率N-MOS管
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD100N03D
- 商品编号
- C45350859
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 366pF |
商品概述
G80N03T采用先进的沟槽技术，可提供出色的R_DS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 30V
- ID（VGS = 10 V时）90A
- RDS(ON)（VGS = 10 V时）< 4 mΩ
- RDS(ON)（VGS = 4.5 V时）< 7 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器