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AOT22N50L-VB
550V单N沟道平面型TO220封装MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,550V；20A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20/30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型场效应晶体管，适用于电源模块、逆变器控制等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOT22N50L-VB
- 商品编号
- C45350880
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.094nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 152pF |
商品特性
- 优化设计
- 低面积比导通电阻
- 低输入电容(Ciss)
- 降低电容开关损耗
- 高体二极管耐用性
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 最佳效率和运行性能
- 低成本
- 简单的栅极驱动电路
- 低品质因数(FOM):Ron × Qg
- 快速开关
应用领域
- 消费电子
- 显示器(LCD 或等离子电视)
- 服务器和电信电源 - 开关电源(SMPS)
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 开关电源(SMPS)
- 功率因数校正(PFC)