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APT6025BLL-VB
N沟道650 V（D-S）超结MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30VVth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- APT6025BLL-VB
- 商品编号
- C45350899
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 降低反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复峰值电流(IRRM)
- 低品质因数(FOM)导通电阻(R\text on)×栅极电荷(Q\text g)
- 低输入电容(Ciss)
- 因Qrr降低,开关损耗低
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 消费电子和计算机
- ATX电源
- 工业
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能(光伏逆变器)
- 开关模式电源(SMPS)
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