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FCHD190N65S3R0-F155-VB
650V单N沟道 SJ_Multi-EPI TO247封装MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；20A；RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30VVth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FCHD190N65S3R0-F155-VB
- 商品编号
- C45350913
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 结温175 °C
- 沟槽功率MOSFET
- 材料分类：符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
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