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DMPH6050SK3-13-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMPH6050SK3-13-VB

P沟道 耐压:60V 电流:35A

描述
台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-60V;-35A;RDS(ON)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20VVth=-1.7V;采用Trench技术
商品型号
DMPH6050SK3-13-VB
商品编号
C45350932
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))58mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)38.5W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)1.9nF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)130pF

商品特性

  • 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
  • TrenchFET功率MOSFET
  • 100%经过UIS测试
  • 符合RoHS指令2002/95/EC
  • 符合RoHS标准
  • 提供无卤版本

应用领域

-全桥转换器的高端开关-LCD显示器的DC/DC转换器

数据手册PDF