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SP60N02AGHTQ实物图
  • SP60N02AGHTQ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SP60N02AGHTQ

大电流SGT MOSFET

描述
大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:60V,电流:200A,Rdson:2mR
品牌名称
Siliup(矽普)
商品型号
SP60N02AGHTQ
商品编号
C45351216
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
3.47克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)330A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)213W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)105nC@10V
输入电容(Ciss)7.397nF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)3.885nF

数据手册PDF

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