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CMS61P06CT-HF-VB
P沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；P—Channel沟道；-60V；-50A；RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20VVth=-1.7V；采用Trench技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CMS61P06CT-HF-VB
- 商品编号
- C45350906
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
-负载开关
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