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CMS61P06CT-HF-VB
P沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；P—Channel沟道；-60V；-50A；RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20VVth=-1.7V；采用Trench技术
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CMS61P06CT-HF-VB
- 商品编号
- C45350906
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性
- 全面表征电容、雪崩电压和电流
- 低RDS(on)
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 硬开关和高频电路
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