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2SJ635.-VB
P沟道 耐压:60V 电流:25A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO251；P—Channel沟道,-60V；-25A；RDS(ON)=53mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于电源、电动工具和汽车电子等多个领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ635.-VB
- 商品编号
- C45350874
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
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