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MDDG10R04P
100V 130A 3.2mΩ中低压功率N-MOS管
- 描述
- 100V 130A 3.2mΩ中低压功率N-MOS管
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG10R04P
- 商品编号
- C45350858
- 商品封装
- TO-220C-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.226667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进功率沟槽工艺制造。该工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 100 A时,最大RDS(ON)= 4.4 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动和不间断电源-微型太阳能逆变器
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