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MDD210N40P
40V 210A 1.5mΩ中低压功率N-MOS管
- 描述
- 40V 210A 1.5mΩ中低压功率N-MOS管
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD210N40P
- 商品编号
- C45350857
- 商品封装
- TO-220C-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON):Vgs = 10V时,典型值为1.5mΩ
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 高单脉冲雪崩能量下具备良好的稳定性和一致性
应用领域
- 电池保护
- 电源管理
- 开关模式电源
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