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CSD87381P
2个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- CSD87381P 采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87381P
- 商品编号
- C464808
- 商品封装
- PTAB-5(2.5x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.3mΩ@8V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 564pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF；11.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 半桥 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF；293pF |
商品概述
CSD87381P NexFET电源块II是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在3mm × 2.5mm的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。针对5V栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一5V栅极驱动器配套使用时，可提供一个高密度电源。
商品特性
- 半桥电源块
- 10A电流下的系统效率达90%
- 工作电流高达15A
- 高密度 - 3mm × 2.5mm接合栅格阵列封装 (LGA)尺寸
- 双侧冷却能力
- 超薄 - 最大厚度为0.48mm
- 针对5V栅极驱动进行了优化
- 低开关损耗
- 低电感封装
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 无铅
应用领域
- 同步降压转换器
- 高电流、低占空比应用
- 多相位同步降压转换器
- 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
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