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LTC4357IMS8#TRPBF

正高电压理想二极管控制器

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描述: 是一种正高压理想二极管控制器，驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 板面积。还能轻松实现电源并联，提高系统整体可靠性。在二极管或应用中，控制 MOSFET 两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。若电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LTC4357IMS8#TRPBF
商品编号: C462642
商品封装: MSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.05克(g)

商品参数

商品概述

一款正高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。在二极管“或”和大电流二极管应用中使用时，它可降低功耗、散热、电压损耗和 PCB 面积。它能轻松实现电源“或”操作，提高整个系统的可靠性。在二极管“或”应用中，它控制 MOSFET 两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而无振荡。若电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。

商品特性

用 N 沟道 MOSFET 替代功率肖特基二极管，降低功耗
0.5µs 关断时间限制峰值故障电流
宽工作电压范围：9V 至 80V
无振荡的平稳切换
无反向直流电流
提供 6 引脚（2mm×3mm）DFN 和 8 引脚 MSOP 封装

应用领域

V+τ 冗余电源
高可用性系统
AdvancedTCA 系统
电信基础设施
汽车系统

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	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	9V~80V
	FET类型	外置FET
	正向压降(Vf)	25mV

	属性	参数值
	静态电流(Iq)	500uA
	工作温度	-40℃~+85℃
	灌电流(IOL)	2A