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SPT50N65F1AT8TL
650V沟槽场截止型IGBT
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- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SPT50N65F1AT8TL
- 商品编号
- C462253
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 输出电容(Coes) | 130pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Cies) | 2.8nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 180ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.9mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 75pF |
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