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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MXD8015H

用于 LTE 中高频段的高增益低噪声放大器

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描述
MXD8015H 是一种专为 LTE 中频段和高频段设计的高增益、低噪声放大器,采用先进的 RFCMOS 工艺制造。其高线性性能和低噪声系数使其成为 LTE 接收应用的理想选择。
商品型号
MXD8015H
商品编号
C462296
商品封装
LGA-6(0.7x1.1)​
包装方式
编带
商品毛重
0.013克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录射频低噪声放大器
工作电压1.6V~3.3V
工作电流6mA
增益16.5dB
P1dB-2dBm
噪声系数0.65dB
属性参数值
工作温度-40℃~+90℃
频率1.8GHz~2.7GHz
输入回波损耗10dB
输出回波损耗10dB
IP33dBm

商品概述

MXD8015H高增益、低噪声放大器(LNA)采用先进的RFCMOS工艺,专门用于LTE中频段和高频段接收。高线性性能和低噪声系数使其成为LTE接收应用的理想选择。 MXD8015H在1.6V至3.3V单电源下工作,在低噪声模式下消耗6mA电流,在掉电模式下,功耗将降至小于1uA。 MXD8015H采用小型1.1mm × 0.7mm × 0.45mm LGA 6引脚封装。

商品特性

  • 宽带频率范围:1.8至2.7GHz
  • 高增益:在1.8GHz至2.2GHz频段增益为15.5dB,在2.3GHz至2.7GHz频段增益为14.5dB
  • 低噪声系数:在1.8GHz至2.2GHz频段噪声系数为0.65dB,在2.3GHz至2.7GHz频段噪声系数为0.70dB
  • 工作电流:6mA
  • 小型LGA(6引脚,1.1mm x 0.7mm x 0.45mm)封装,MSL1
  • 无需直流阻隔电容。

应用领域

  • LTE高中频段接收

数据手册PDF

优惠活动

  • 5

    购买数量

    (6000个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个6000个/圆盘

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