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FZT591ATA
中功率晶体管 PNP 电流:1A 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A，高连续电流。 低饱和电压VCE(SAT) <-500mV @-1A。 互补NPN类型。 无铅涂层；符合ROHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率MOSFET和IGBT栅极驱动。 低损耗功率开关
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT591ATA
- 商品编号
- C460217
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.221克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个PNP |