ADG1208YRZ
低电容4通道/8通道±15 V/+12 V iCMOS多路复用器
- 描述
- 低电容、8通道、±15V/+12ViCMOS多路复用器
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- ADG1208YRZ
- 商品编号
- C459153
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.686克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 8:1 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | -16.5V~-5V;5V~16.5V | |
| 导通时间(ton) | 75ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 120Ω | |
| 关闭时间(toff) | 95ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 导通电容(Con) | 7pF | |
| 带宽 | 550MHz |
商品概述
ADG1208和ADG1209是单片iCMOS模拟多路复用器,分别包含八个单通道和四个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2选择八个输入中的一个连接到公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1选择四个差分输入中的一个连接到公共差分输出。两种器件上都有一个EN输入端,用于启用或禁用该器件。当禁用时,所有通道均关闭。当启用时,每个通道在两个方向上都具有相同的导通性能,并且其输入信号范围可以达到电源电压。
工业CMOS(iCMOS)模块化制造工艺结合了高压互补金属氧化物半导体(CMOS)和双极技术。它能够开发出一系列高性能模拟IC,能够在其他任何一代高压器件无法实现的尺寸内支持33V工作电压。与使用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS组件可以承受高电源电压,同时提供更高的性能、显著降低的功耗以及减小的封装尺寸。
这些多路复用器的超低电容和极低的电荷注入特性使其成为数据采集和采样保持应用的理想解决方案,在这些应用中需要低毛刺和快速建立时间。图2显示在整个设备信号范围内电荷注入最小。iCMOS结构还确保了超低功耗,使这些器件非常适合便携式和电池供电的仪器。
商品特性
- 在全信号范围内电荷注入<1 pC
- 关断电容1 pF
- 33 V电源范围
- 120 Ω导通电阻
- 在±15 V/+12 V下完全指定
- 与3 V逻辑兼容的输入
- 轨到轨工作
- 先断后合切换动作
- 提供16引脚TSSOP、16引脚LFCSP和16引脚SOIC封装
- 典型功耗<0.03 μW
应用领域
- 音频和视频路由
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电系统
- 采样保持系统
- 通信系统
优惠活动
购买数量
(48个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个48个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
