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LMG2100R026VBNR

100V、53A GaN半桥功率级

描述: 集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG2100R026VBNR
商品编号: C44231310
商品封装: VQFN-FCRLF-18(4.5x7)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.575克(g)

商品参数

商品概述

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续 100V 脉冲式 53A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 GaN FET，采用半桥配置，由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和两个 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

商品特性

集成式半桥 GaN FET 和驱动器
93V 连续 100V 脉冲式电压额定值
封装经过优化，便于 PCB 布局
高压摆率开关，低振铃
5V 外部辅助电源
支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns）
内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
电源轨欠压锁定保护
低功耗
外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
大型 GND 焊盘实现底面散热

应用领域

降压、升压、降压/升压转换器
LLC 转换器
光伏逆变器
电信和服务器电源
电机驱动器
电动工具
D 类音频放大器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	工作电压	4.75V~5.25V
	传播延迟 tpLH	35ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpHL	55ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.87V~2.22V
	输入低电平(VIL)	1.48V~1.76V
	静态电流(Iq)	90uA
	功能特性	内置自举二极管；死区时间控制