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LMG2640RRGR

描述: 适用于开关模式电源应用中。通过在9mmx7mmQFN封装中集成半桥功率FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到PCB电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关GaN自举FET没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET导通互锁、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG2640RRGR
商品编号: C44231311
商品封装: VQFN-40(7x9)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.24克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	16ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	600mV
	静态电流(Iq)	370uA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管；交错导通保护

商品概述

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥，适用于开关模式电源应用中。LMG2640 通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高侧栅极驱动电平转换器，可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。与传统的电流检测电阻相比，低侧电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地进行冷却。高侧栅极驱动信号电平转换器消除了外部解决方案中出现的噪声和突发模式功率耗散问题。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降，可避免高侧电源过充，并且反向恢复电荷为零。LMG2640 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。

商品特性

650V GaN 功率 FET 半桥
105mΩ 低侧和高侧 GaN FET
具有低传播延迟的集成栅极驱动器
具有高带宽和高精度的电流检测仿真
低侧/高侧栅极驱动互锁
高侧栅极驱动信号电平转换器
智能开关自举二极管功能
高侧启动:< 8µs
低侧/高侧逐周期过流保护
通过 FLT 引脚报告实现过热保护
AUX 空闲静态电流:250μA
AUX 待机静态电流:50μA
BST 空闲静态电流:65μA
最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
具有双散热焊盘的 9mm×7mm QFN 封装

应用领域

交流/直流适配器和充电器
交流/直流 USB 墙壁插座电源
交流/直流辅助电源
移动式壁式充电器设计
USB 墙壁电源插座

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	10mA
	工作电压	10V~26V
	上升时间(tr)	2.4ns