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TPS1100DR

1个P沟道耐压:15V 电流:1.6A

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描述: TPS1100 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS1100DR
商品编号: C44653
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.104克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5.45nC @ 10V
功率 - 最大值：791mW
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	15V
	连续漏极电流(Id)	1.6A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	791mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	5.45nC@10V
	工作温度	-40℃~+125℃
	类型	P沟道