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TPS1100DR

1个P沟道耐压:15V 电流:1.6A

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描述: TPS1100 单路 P 通道增强-模式 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS1100DR
商品编号: C44653
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.104克(g)

商品参数

商品概述

TPS1100是一款单P沟道增强型MOSFET。该器件通过德州仪器的LinBiCMOS™工艺，针对电池供电系统中的3V或5V电源分配进行了优化。其最大VGS(th)为 -1.5V，IDSS仅为0.5μA，是低压便携式电池管理系统中理想的高端开关，这类系统主要关注的是最大化电池使用寿命。低rDS(on)和出色的交流特性（典型上升时间为10 ns）使TPS1100成为低压开关应用的合理选择，如脉宽调制（PWM）控制器或电机/桥式驱动器的电源开关。

超薄缩小外形封装（TSSOP (PW)）版本的占位面积更小、高度更低，适用于其他P沟道MOSFET无法使用的地方。在电路板空间有限且高度受限，无法使用小外形集成电路（SOIC）封装的情况下，这种尺寸优势尤为重要。

此类应用包括笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、手机和PCMCIA卡。对于现有设计，D封装版本的引脚排列与其他SOIC封装的P沟道MOSFET相同。

商品特性

低rDS(on):VGS = -10 V时典型值为0.18 Ω
3 V兼容
无需外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
最大VGS(th) = -1.5 V
提供超薄TSSOP封装(PW)
静电放电(ESD)保护高达2 kV(符合MIL-STD-883C方法3015)

应用领域

-笔记本电脑-个人数字助理(PDA)-手机-PCMCIA卡

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	15V
	连续漏极电流(Id)	1.6A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	791mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V
	栅极电荷量(Qg)	5.45nC@10V
	工作温度	-40℃~+125℃
	类型	P沟道