TPS1120DR
2个P沟道 耐压:15V 电流:1.17A
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描述
TPS1120 双路 P 通道增强模式 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
TPS1120DR商品编号
C44654商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.104克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 15V | |
连续漏极电流(Id) | 1.17A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,1.5A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 840mW | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.45nC@10V | |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
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