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TPS1120DR

2个P沟道耐压:15V 电流:1.17A

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描述: TPS1120 双路 P 通道增强模式 MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPS1120DR
商品编号: C44654
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.104克(g)

商品参数

商品概述

TPS1120集成了两个独立的P沟道增强型MOSFET，这些MOSFET针对电池供电系统中的3V或5V电源分配进行了优化。TPS1120的最大VGS(th)为 -1.5V，IDSS仅为0.5μA，是低压便携式电池管理系统的理想高端开关，此类系统首要考虑的是延长电池使用寿命。由于便携式设备可能会受到静电放电（ESD）影响，因此这些MOSFET内置了2kV ESD保护电路。TPS1120的终端设备包括笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、手机、条形码扫描仪和PCMCIA卡。TPS1120的工作结温范围TJ为 -40°C至150°C。

商品特性

低rDS(on)：VGS = -10V时为0.18Ω
3V兼容
无需外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
最大VGS(th) = -1.5V
符合MIL - STD - 883C标准3015方法，ESD保护高达2kV

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	15V
	连续漏极电流(Id)	1.17A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@10V,1.5A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	840mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V
	栅极电荷量(Qg)	5.45nC@10V
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	类型	P沟道