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CSD16340Q3
1个N沟道 耐压:25V 电流:60A
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- 描述
- CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16340Q3
- 商品编号
- C47616
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
商品概述
这款25 V、3.8 mΩ、3.3 × 3.3 mm SON NexFET功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换损耗，并针对5 V栅极驱动应用进行了优化。
商品特性
- 针对5 V栅极驱动进行优化
- 在VGS = 2.5 V下额定电阻
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 3.3 mm × 3.3 mm塑料封装
应用领域
- 用于网络、电信和计算系统应用的负载点同步降压转换器
- 针对控制或同步FET应用进行优化