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CSD16340Q3
1个N沟道 耐压:25V 电流:60A
- 描述
- CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16340Q3
- 商品编号
- C47616
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@8V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@12.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Ta），60A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：9.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1350pF @ 12.5V
功率 - 最大值：3W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Ta），60A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：9.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1350pF @ 12.5V
功率 - 最大值：3W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-VSON（3.3x3.3）
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 100 个)个
起订量：100 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交38单