SI7148DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:75V 电流:28A
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描述
N沟道,75V,28A,14.5mΩ@4.5V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI7148DP-T1-GE3商品编号
C44702商品封装
PowerPAK-SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.131克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
连续漏极电流(Id) | 28A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,28A | |
功率(Pd) | 5.4W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@5mA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.9nF@35V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 196pF@35V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 35V
功率 - 最大值:96W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商器件封装:PowerPAK? SO-8
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 35V
功率 - 最大值:96W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商器件封装:PowerPAK? SO-8
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