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IAUZN04S7N026ATMA1
IAUZN04S7N026ATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUZN04S7N026ATMA1
- 商品编号
- C43311530
- 商品封装
- PG-TSDSON-8-44
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 114A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.326nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 772pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 适用于汽车应用的 OptiMOSTM 功率 MOSFET
- N 沟道 – 增强型 – 正常电平
- 超出 AEC-Q101 的扩展认证
- 增强型电气测试
- 坚固耐用的设计
- 最高 260°C 峰值回流温度的 MSL1 等级
- 175°C 工作温度
- 符合 RoHS 标准
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。