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LMG3100R044VBER

具有集成驱动器的100V GaN FET

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描述: LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mmx4mmx0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG3100R044VBER
商品编号: C42715446
商品封装: VQFN-FCRLF-15(4x6.5)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

LMG3100器件是一款具有集成驱动器的100V连续、120V脉冲氮化（GaN）FET。该器件提供两种Rds(on)和最大电流型号，即126A/1.7mΩ(LMG3100R017)和46A/4.4mΩ(LMG3100R044)。该器件包含一个由高频GaNFET驱动器驱动的100V GaN FET。LMG3100包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个LMG3100器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。 GaNFET在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容Ciss和输出电容Coss都非常小。驱动器和GaNFET均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100器件采用6.5mm×4mm×0.89mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。无论VCC电压如何，TTL逻辑兼容输入均可支持3.3V和5V逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaNFET的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaNFET的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

商品特性

集成式1.7mΩ (LMG3100R017) 或4.4mΩ (LMG3100R044) GaN FET和驱动器
100V连续，120V脉冲式电压额定值
集成了高侧电平转换和自举
两个LMG3100可构成一个半桥
无需外部电平转换器
5V外部辅助电源
支持3.3V和5V输入逻辑电平
高压摆率开关，低振铃
栅极驱动器支持高达10MHz的开关频率
内部自举电源电压钳位，可防止GaN FET过驱动
电源轨欠压锁定保护
低功耗
封装经过优化，便于PCB布局
外露式顶部QFN封装，实现顶面散热
底部大型外露焊盘，实现底面散热

应用领域

降压、升压和降压/升压转换器
LLC转换器
光伏逆变器
电信和服务器电源
电机驱动器
电动工具
D类音频放大器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	工作电压	4.75V~5.25V
	传播延迟 tpLH	36ns
	传播延迟 tpHL	36ns

	属性	参数值
	特性	欠压保护(UVP)；过压保护(OVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.87V
	输入低电平(VIL)	1.76V
	静态电流(Iq)	125uA