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XR3415E
P沟道20V快速开关MOSFET
- 描述
- 高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，经过全功能可靠性认证。ESD 等级：2500V HBM
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR3415E
- 商品编号
- C42456912
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR3415是高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 XR341E符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。静电放电(ESD)等级:2500V人体模型(HBM)
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术