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XR2010S
N沟道20V快速开关MOSFET
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- 描述
- 高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，并通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR2010S
- 商品编号
- C42456443
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
XR2010S 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。XR2010S 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100% 保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% 保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- DC - DC转换器
- 负载开关
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、手机和无绳电话）的电源管理