温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XR2312A
N沟道20V快速开关MOSFET
- 描述
- 高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR2312A
- 商品编号
- C42456450
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 358pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69.3pF |
商品概述
AOD409是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 AOD409符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%保证抗雪崩能力 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术