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XR2302B
N沟道20V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR2302B
- 商品编号
- C42456448
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.23nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、6.0A，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 18mΩ
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 主板/显卡/Vcore电源
- 负载开关
- 手持仪器
- SOT23-3L