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MSG50T65QHC0

650V、60A场截止型IGBT

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描述
IGBT单管 650V 50A 应用于变频器
商品型号
MSG50T65QHC0
商品编号
C42445159
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.63克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)394W
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)100A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2V@60A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)116nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)1.6pF@25V
输出电容(Coes)275pF
反向传输电容(Cres)108pF
开启延迟时间(Td(on))32ns
关断延迟时间(Td(off))231ns
导通损耗(Eon)2.15mJ
关断损耗(Eoff)1.41mJ
反向恢复时间(Trr)198ns
工作温度-40℃~+175℃

商品特性

  • 650V 60A,典型集电极-发射极饱和电压为1.8V
  • 场截止IGBT技术
  • 10μs短路耐受能力
  • 方形反向偏置安全工作区
  • 集电极-发射极导通电压正温度系数

应用领域

  • 通用逆变器
  • 感应加热
  • 焊接电源
  • 不间断电源
  • 电机驱动

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