我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
MS25N65HCT1实物图
  • MS25N65HCT1商品缩略图
  • MS25N65HCT1商品缩略图
  • MS25N65HCT1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS25N65HCT1

MOSFET 国产 中压 650V 10A TO-220F塑封

描述
MOSFET 国产 中压 650V 10A TO-220F塑封
商品型号
MS25N65HCT1
商品编号
C42445162
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.97克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
耗散功率(Pd)34W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
反向传输电容(Crss)1.2pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

2307采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于各种应用场景。

商品特性

  • 超低导通电阻RDS(on)(典型值) = 0.16 Ω
  • 超低栅极电荷(典型值Qg = 40 nC)
  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF