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MS15N100HCT1

MOSFET 1000V 15A TO-220F 塑封 沟槽工艺

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描述
MOSFET 1000V 15A TO-220F 塑封 沟槽工艺
商品型号
MS15N100HCT1
商品编号
C42445160
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
3.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))520mΩ@10V
耗散功率(Pd)70W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF