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3139
P沟道20V快速开关MOSFET
- 描述
- 特性：有环保型产品。 超低栅极电荷。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 ESD等级：2000V HBM。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 3139
- 商品编号
- C42441703
- 商品封装
- SOT-523-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
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