温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
商品特性
- 超结技术
- 更低的导通电阻与芯片面积乘积(Ron*A),提高导通效率;高密单元设计,降低......
- 极低的品质因数(FOM),效率更高
- 符合JEDEC工业级应用标准