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13N65RT
N沟道650V超结功率MOSFET
- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 有环保型产品可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%保证EAS。 采用先进的沟槽栅超级结技术。应用：功率因数校正（PFC）。 开关电源（SMPS）
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 13N65RT
- 商品编号
- C42441707
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7303克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
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