温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 73W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超结技术
- 更低的导通电阻×面积(Ron*A)性能,提高导通效率
- 极低的品质因数(FOM),实现更高效率
- 符合JEDEC工业级应用标准