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STF8NK100Z-CN
1000V/9A N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- ChipNobo(无边界)
- 商品型号
- STF8NK100Z-CN
- 商品编号
- C42436711
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.030252克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.667nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
EST03P06是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品EST03P06为无铅产品。
商品特性
- 自对准平面技术
- 低反向传输电容(Typ 27pF)
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 不含铅
- 不含卤素
应用领域
-高频开关电源-电子镇流器-不间断电源(UPS)