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STB15810-CN
100V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：使用先进的SGT技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷乘积（FOM）。 符合RoHS标准。 无卤素。 使用先进的屏蔽栅沟槽工艺。应用：电池管理。 电机控制和驱动
- 品牌名称
- ChipNobo(无边界)
- 商品型号
- STB15810-CN
- 商品编号
- C42436834
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.159034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.012nF |
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